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J-GLOBAL ID：201602013032319116   整理番号：71A0129951

電解セレンの結晶配向についての支持物の影響

Influence du supprort sur l’orientation cristalline du selenium eiectrolytique.

著者 (3件)： BECDELIEVRE A M ,  BOUDEULLE M ,  BARBIER M J
資料名： Mater Res Bull  (Materials Research Bulletin)
巻： 6  号： 4  ページ： 225-230  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： テルル電極上にセレンの結晶質の沈殿物を作った。95°Cで電流密度が小さい場合に3つの方向をもつセレンの沈殿物が得られた。この場合,テルルの単結晶で適当な配向性をもったものを支持電極として用いた;写図7参6

シソーラス用語： セレン ,  結晶成長 ,  電解
準シソーラス用語： セレン(電解生成/テルル電極上) ,  セレン結晶生成 ,  テルル電極 ,  テルル電極(電解セレン沈殿) ,  テルル電極上 ,  結晶成長(セレン/テルル電極上) ,  電解(セレン結晶生成) ,  電解セレン沈殿 ,  電解生成

タイトルに関連する用語 (4件)： 電解 ,  セレン ,  結晶配向 ,  支持物