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J-GLOBAL ID：201602013060417379   整理番号：74A0042051

M^IIM^III₂(S,Se)₄の合成と光ルミネッセンス

The synthesis and photoluminescence of M^IIM^III₂ (S,Se)₄.

著者 (2件)： DONOHUE P C ,  HANLON J E
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 121  号： 1  ページ： 137-142  発行年： 1974年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： M。「=Eu,Yb,Ca,Sr,Ba MニAI,Ga,lnの組成は,Ba(Ga, Al)2S,の立方晶を除くと全て擬斜方晶PbGasSe,型構造をもつ。 いずれも高抵抗p型半導体で,Eu+2活性けい光を示す。 低温では Yガ2活性けい光もみられる。 最も効率のよい発光体は,Eu”励起 状態が基礎吸収端から最も遠く離れているものである; 写図5表3 参12

シソーラス用語： けい光 ,  ルミネセンス
準シソーラス用語： PbGa₂Se₄ ,  高抵抗半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： Se ,  光ルミネッセンス