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J-GLOBAL ID：201602013068517550   整理番号：58A0061915

半導体素子のホール効果を用いた継電器

Реле на основе эффекта Холла.

著者 (1件)： СИРОТА Н М
資料名： 不明
巻： 29  号： 9  ページ： 9-14  発行年： 1958年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
発行国： その他 (ZZZ) 

抄録/ポイント： 1.素子の抵抗が磁束密度に無関係2.抵抗が磁束密度によって変化するが,負荷からの磁界の影響はない3.同じく負荷からの磁界影響があるの三つの場合について,出力の直流分を最大にする条件を求めた。半導体素子InSb InAs Geについて計算に必要な諸定数を示し,電力方向継電器に用いた原理的な回路を一列として示した

分類 (2件)： (EC030207) ,  (EC040206)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体素子 ,  ホール効果 ,  継電器