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J-GLOBAL ID：201602013185033572   整理番号：72A0257866

日本のマイクロ波半導体技術

Advanced microwave semiconductor technology from Japan.

著者 (1件)： AOKI T
資料名： Microw J  (Microwave Journal)
巻： 14  号： 11  ページ： 57-59  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0035B  ISSN： 0192-6225  CODEN： MCWJA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波能動部品について述べた。1)GaAsエピタキシァルウェーハデバィス,キァリヤ濃度1×10¹⁵~3×10¹⁷cm^-3エビタキシァルの厚さ0.5~100μm,移動度8000cm²/V.s2)GUNNダイオード。ダイヤモンドヒートシンクXバンド出力550mW。熱抵抗6°C/W3)ミクサダィオード,10~170GHzで使用するGaAsシヨットキバリアの変換損失,VSWRを図示している。4)拡散型接合パラクタダイオード,接合容量0.1PF以下,周波数逓倍器用,5)広帯域検波ダイオード,40-170GHz;写図6

シソーラス用語： マイクロ波
準シソーラス用語： GUNNダイオード ,  パラクタダイオード

タイトルに関連する用語 (3件)： 日本 ,  マイクロ波 ,  半導体技術