文献

J-GLOBAL ID：201602013258188898   整理番号：72A0132890

純粋およびドープ酸化ニッケル中での格子欠陥と電気伝導度

Fehlordnung und Leitfaehigkeit in reinem und dotiertem Nickeloxid.

著者 (2件)： SOCKEL H G ,  ILSCHNER B
資料名： Z Phys Chem Neue Folge  (Zeitschrift fuer Physikalische Chemie)
巻： 74  号： 3/6  ページ： 284-301  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0443A  ISSN： 0044-3336  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： ドイツ語 (DE)

抄録/ポイント： 純粋およびCr,0,をドープした¥TiOの格子欠陥について理論的および実験的に検討。温度900-1200°C,酸素分圧が0.21気圧における〔Vl1〕。(欠陥濃度)の表現式として,〔Vく1〕。=(0-14±0.02)exp〔一(18.8土1),103/RT〕を提出。純粋NiOの電気伝導度を測定し,これより,欠陥電子の移動のための活性化エネルギーとして5,8kcal/mQIを得た。電気伝導の機構は跳躍電子モデルによって解釈される;写図7表1参47

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  酸化ニッケル ,  導電率
準シソーラス用語： 格子欠陥(酸化ニッケル) ,  酸化ニッケル(格子欠陥) ,  導電率(酸化ニッケル)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  酸化ニッケル ,  格子欠陥 ,  電気伝導度