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J-GLOBAL ID：201602013269236398   整理番号：72A0040397

金属-薄い絶縁体-半導体接合のI-V,C-V特性に現われる局在電子準位の影響

The influence of local electronic states on I-V and C-V characteristics of the metal-thin insulator-semiconductor structures.

著者 (2件)： STRIKHA V I ,  BOOZANYOVA E V
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol V  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.5)
ページ： 189-196  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700155  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30~200Aの薄い酸化膜をはさんだMIS素子についての実験と理論である。半導体の空乏層を流れる電流として二極管理論によるものを考え,絶縁膜中はトンネル電流と表面準位を介する電流が流れるとしてV-1特性の理論とC-V特性の理論式を実験と比較した。その結果表面準位の存在を明らかにした;写図3表1参5

シソーラス用語： MIS構造 ,  電流電圧特性 ,  表面準位 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 薄い酸化膜

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁体 ,  半導体接合