文献
J-GLOBAL ID：201602013300816314 整理番号：62A0009067
2バンド半導体の熱電的良さの指数
Thermoelectric figure of merit of two-band semiconduc tors.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (1件)：
SIMON R
SIMON R について
「SIMON R」ですべてを検索
資料名：
J Appl Phys (Journal of Applied Physics)
J Appl Phys について
JST資料番号 C0266A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
33
号：
5
ページ：
1830-1841
発行年：
1962年
JST資料番号：
C0266A
ISSN：
0021-8979
CODEN：
JAPIAU
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
2バンド半導体(電子と正孔)で(α,k/δT)平面上における不純物濃度を変えたときのその点の軌跡は一つの閉曲線になる.αはゼーペック係数,kは熱伝導度,δは電気伝導率,この曲線にそって熱電的良さの指数ZT=a
2
/(kδ/T)は一般に2つの極大をもつ,この曲線の形,大きさ.位置はその単導体のいくつかのパラメータで定まる.ZTの極値とこのパラメータの関係,およびその近似的表式を述べる.また改良された熱電素子を得る観点からやこの良さの指数の上限の存在の可能性について議論する
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
バンド
バンド について
「バンド」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
