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J-GLOBAL ID：201602013307935750   整理番号：72A0038013

半導体における交差電磁場内の衝撃イオン化

Impact ionization in crossed fields in semiconductors.

著者 (2件)： REUTER H ,  HUEBNER K
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 4  号： 8  ページ： 2575-2581  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自由電子の運動から出発して,強い横磁場が存在する場合の電子一ホール対の衝撃イオン化に対するモデルを開発した。イオン化速度は電場の有効強さを磁場の強さで割った商E,/Bにだけ依存する事を見出した。n-InSbに対するイオン化速度が光学的フォノン散乱に対する平均自由行程の異なる値に対して,E。/Bに依って計算された。衝撃イオン化はE。/B=2・7×105msec-°C開始する;写図3参7

シソーラス用語： 半導体
準シソーラス用語： イオン化速度 ,  光学的フォノン散乱 ,  衝撃イオン化 ,  電子-正孔対 ,  平均自由行程

タイトルに関連する用語 (3件)： 交差 ,  電磁場 ,  衝撃イオン化