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J-GLOBAL ID：201602013339624455   整理番号：64A0181598

NiO薄膜のスイッチング特性

Switching properties of thin NiO films.

著者 (2件)： GIBBONS J F ,  BEADLE W E
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 7  号： 11  ページ： 785-797  発行年： 1964年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： NiO薄膜で作られた二端子固体スイッチについて述べた。実験に使われたデバイスは,off時,on時において,それぞれ,25MΩ,100Ω程度の抵抗を示し,スイッチング時間は0.1~10μsの範囲にあった。実験から,スイッチング機構はNiO中における,両端子を結ぶnickel filamentの形成と破壊にあると推察。この考察に基ずいて簡単化したモデルから,理論的に得られた計算結果と実験結果と比較。両者の間で本質的な特徴が一致した。なお,デバイスは,1000回ほどスイッチングを繰返えすとshortして,スイッチング特性を示さなくなった;写3図5参7

タイトルに関連する用語 (3件)： NiO ,  薄膜 ,  スイッチング特性