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J-GLOBAL ID：201602013356101547   整理番号：70A0249114

LTP法

著者 (2件)： 西田澄生 ,  山田栄一
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 9  号： 10  ページ： 53-57  発行年： 1970年 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： プレーナ技術で使用する熱酸化SiO₂,膜は,熱ひずみ,拡散不純物の偏析.等の原因で半導体素子の特性を悪くする。この欠点を除くために,プレーナ素子の熱酸化膜とSi表面をエッチングで除去し,その上に800°C以下で正けい酸エチルの熱分解でSiO₂,膜を形成し,さらにその上にPb-Alガラス膜を積層した。低周波雑音,DC増幅率,リーク電流,逆耐圧,が改善できた;写図12表2

シソーラス用語： プレーナ技術 ,  半導体素子
準シソーラス用語： LTP ,  SiO₂ ,  低温安定化 ,  低温安定化(LTP)

タイトルに関連する用語 (1件)： LTP