抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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題記反応に対する出発物質の濃度,電解温度,電流密度などの影響をガスクロマトグラフ,赤外分光法,マススペクトル,NMRなどを併用して検討.題記反応はNi陽極上に吸着したFまたはF
2によるラジカル反応で進行.反応生成物は10%(C
2H
5)
3NをのぞきC-C結合の裂断よりC-N結合の裂断が圧倒的に優勢である.生成するふっ化アミンの大部分は第三級アミンである.これらの事実からアミンが一度脱アルキル化を受けるとすべてのC-N結合が切れてNF
3を生成することが推測される.この点が化学的ふっ素化との大きな差になる.この特徴を結合エネルギーおよび電極上におけるアミンの吸着で説明:参23