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J-GLOBAL ID：201602013455138690   整理番号：66A0023210

半導性酸化インジウム膜の研究

Untersuchungen an halbleitenden Indiumoxydschichten

著者 (1件)： GROTH R
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 14  号： 1  ページ： 69-75  発行年： 1966年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR) 

抄録/ポイント： 0.1-0.5μの厚さのN形酸化インジウム膜を吹きつけ法で作成。異なる不純物を加えることによって,導伝率1.5×10²~4.3×10³Ω^-1cm^-1および自由キャリア濃度10¹⁹~6×10²⁰cm^-3の膜を得た。キャリア移動度は特別な不純物にたいし特に強く依存した。このことからキャリアの散乱は主として粒界に起因すると推定できる。光学吸収は可視領域においてほとんどおこなわれなかった。しかし自由キャリア濃度が高いために,膜は高い赤外反射を示した;図6参8

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導性 ,  酸化インジウム ,  研究