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J-GLOBAL ID：201602013467355939   整理番号：72A0257701

半導体における不純物準位の電子構造 III LCBO法によるSiにおけるS毒ドナーの電子構造

著者 (2件)： 清水立生 (金沢大・工) ,  南克彦 (金沢大・工)
資料名： 金沢大学工学部紀要  (Memoirs of the Faculty of Technology, Kanazawa University)
巻： 6  号： 3  ページ： 303-316  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0120A  ISSN： 0022-832X  CODEN： KDKOAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 伝導帯と価電子帯のほぼ中間にドナー準位を作る,Siに置換型に入ったSムドナーの電子状態を原子軌道の一次結合の方法で計算した。不純物原子の回りにある1068個の反結合軌道を考慮に入れ,永年方程式を解いて一次結合の係数を求め,この係数から計算される等方的超微細構造定数をLudwigによるENDORの実験結果と比較検討した;写図3表2参11

シソーラス用語： ドナー ,  電子エネルギー準位 ,  電子構造 ,  波動関数 ,  半導体 ,  不純物準位

タイトルに関連する用語 (5件)： 不純物準位 ,  電子構造 ,  Si ,  毒 ,  ドナー