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J-GLOBAL ID：201602013492701914   整理番号：60A0104323

シリコン・トランジスタと抵抗素子による論理回路

Silicon transistor-resistor logic circuits.
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著者 (1件)：
LUECKE J

LUECKE J について


資料名：
不明

不明 について


巻： 66  号： 2  ページ： 113-115  発行年： 1960年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
記事区分： 解説  発行国： その他 (ZZZ) 
抄録/ポイント：
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TRLは非常に簡単で,低廉にして,多能である.また設計は容易であり,全くトランジスタ・パラメータに依存せず,高信頼度が得られ,適当な設計余裕を有す.また広範な周囲条件で使用可能であり,消費電力も少ない.低廉なシリコントランジスタにより15μs以上のスイッチングタイムを得ることは難かしいが,デジタル制御系回路としての要求は十分満足する.ここにトランジスタと抵抗結合の基本TRL回路を示し,その論理回路理論および周囲条件の変化,とくに温度特性(-50~100°Cの温度範囲で操作可能)について述べ,進んで回路設計法を説明した
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シリコン

シリコン について

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トランジスタ

トランジスタ について

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抵抗素子

抵抗素子 について

, 
論理回路

論理回路 について


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