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J-GLOBAL ID：201602013571656398   整理番号：71A0045794

一様な塩電場におかれた半導体のバンド間光学遷移

Interband optical transitions of semiconductors in a uniform electric field.

著者 (1件)： YANG E
資料名： Opt Commun  (Optics Communications)
巻： 3  号： 2  ページ： 107-110  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非定常状態に対する時間に依存するSchr。dinger方程式において印加電場を時間に依存するベクトルポテンシャルで表わす表示を用いてバンド間の遷移確率を計算した。全遷移確率に対する計算の結果は電場を時間に依存しないポテンシャルの項として表示した場合の計算結果と一致した。誘電関数の虚数部は電場零のときの複素関数と有限な電場効果を含んだ項の合成績で表わされる;参6

シソーラス用語： 遷移確率 ,  半導体
準シソーラス用語： CdS ,  バンド間遷移 ,  誘電関数

タイトルに関連する用語 (4件)： 塩 ,  電場 ,  バンド ,  光学遷移