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文献
J-GLOBAL ID:201602013716521607   整理番号:58A0061226

シリコンp-nダイオードとシリコントランジスタの特性曲線と雑音について

Uber die Kennlinien und das Rauschen von Silizium-p-n-Dioden und Siliziumtransistoren.
著者 (2件):
資料名:
巻: 12  号: 10  ページ: 429-440  発行年: 1958年 
JST資料番号: A0447A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: ドイツ (DEU) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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両者の特性曲線は著しく異なる.depletion layer内部の荷電体の再結合と発生が一因で,こ〓では再結合率の公式について論じた.この公式からさらに微分アドミタンスを導き,再結合によるダイオード雑音を簡単な仮定のもとに算出した.これを拡散による雑音に加えて全雑音を得る
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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