文献

J-GLOBAL ID：201602013716521607   整理番号：58A0061226

シリコンp-nダイオードとシリコントランジスタの特性曲線と雑音について

Uber die Kennlinien und das Rauschen von Silizium-p-n-Dioden und Siliziumtransistoren.

著者 (2件)： SCHNEIDER B ,  STRUTT M J O
資料名： Archiv der Elektrischen Uebertragung  (Archiv der Elektrischen Uebertragung)
巻： 12  号： 10  ページ： 429-440  発行年： 1958年 
JST資料番号： A0447A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： 両者の特性曲線は著しく異なる.depletion layer内部の荷電体の再結合と発生が一因で,こ〓では再結合率の公式について論じた.この公式からさらに微分アドミタンスを導き,再結合によるダイオード雑音を簡単な仮定のもとに算出した.これを拡散による雑音に加えて全雑音を得る

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ダイオード ,  トランジスタ ,  特性曲線 ,  雑音