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J-GLOBAL ID：201602013722957115   整理番号：70A0247917

MOS電界効果トランジスタのキャリヤ分布と反転層の厚さ

Quantum mechanical calculation of the carrier distribution and the thickness of the inversion layer of a MOS field-effect transistor.

著者 (2件)： GNADINGER A P ,  TALLEY H E
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 9  ページ： 1301-1309  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面における許容エネルギーレベルと直線静電位を考慮して室温におけるMOS構造の反転層におけるキャリヤ分布を解析した。強い反転層の場合にはキャリヤ分布が古典統計を用いた結果とかなり異なってくるが,多くのサプバンドが満たされた場合は弱い反転に対する古典限界に近づく。チャネル中の積分電荷をもとにしてチャネル厚さに対する新しい定義を導入し,他の定義と比較した。実際のデバイスでは30-400Aのチャネル厚さが表面電位に依存してきめられる。チャネル中の積分電荷は古典統計による値からわずかしかずれない

シソーラス用語： MOSFET
準シソーラス用語： キャリヤ分布 ,  キャリヤ分布(MOSFET) ,  反転層 ,  反転層(MOSFET)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS電界効果トランジスタ ,  キャリヤ分布 ,  反転層 ,  厚さ