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J-GLOBAL ID：201602013737927409   整理番号：66A0017362

InAsでの光効果のスペクトル応答

Spectral response of the photoeffects in InAs.

著者 (3件)： MIKHAILOVA M P ,  NASLEDOV D N ,  SLOBODCHIKOV S V
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 11  号： 2  ページ： 529-53  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR) 

抄録/ポイント： P-N接合の光伝導度,光電磁効果,光起電効果の応答曲線を測定し諸因子(表面再結合速度Sと拡散係数Dの比S/D,少数担体拡散距離L_N,L_Pを評価した。試料は電子濃度5×l0¹⁶~1×10¹⁷cm^-3のN形InAsにCdを拡散して作る。光伝導曲線よりn=2.3×10¹⁶cm^-3試料でS/D=8×10³cm^-1,L_P=1.5μm,D_P=2.7cm²s^-1従ってS=2.2×10⁴cm/sを得る。N形試料のS/Dは8×10³~3×10⁴cm^-1に変化する。光電磁効果からL_Nは1.5~5μmである。光起電応答で,曲線よ接合深度lが減ると短波長側にシフトを示す。l/Lは7~3程度である。lが減るとS/D_Nは10⁵→4.3×10³に減少しD_N増加によるものである。簡単な理論から評価したS/D,Lは実測と大体合う;図4表2参10

タイトルに関連する用語 (2件)： InAs ,  スペクトル応答