文献

J-GLOBAL ID：201602013772178788   整理番号：70A0031413

蒸着単結晶GaNの製作と特性

The preparation and properties of vapor-deposited single-crystalline GaN.

著者 (2件)： MARUSKA H P ,  TIETJEN J J
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 327-329  発行年： 1969年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 年相成長法で無色の単結晶試作を作った。直接エネルギー,ギャップは3.39eV。非ドーブ結晶の電子濃度は101’/cm3で.この高い値は窒素空格子点によるものと思われる。Geをドーブして伝導性P形試料が得られるが,再現性が悪亀電気的にも不均一性がある;写図2参13

シソーラス用語： 格子定数 ,  気相成長 ,  光吸収
準シソーラス用語： GaN

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸着 ,  単結晶 ,  GaN ,  製作