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J-GLOBAL ID：201602013774448529   整理番号：71A0014101

電子線によるミクロン程度の大きさのトランジスタの製造

Electron beam fabrication of micron transistors.

著者 (3件)： HATZAKIS M ,  MAGDO S ,  TING C H
資料名： Proc Symp Electron Ion Be  (Proceedings of the Symposium on Electron and Ion Beam Science and Technology)
巻： 4  ページ： 524-530  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0770A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の集積回路の技術の傾向としては。大型の積分をおこなう方向にある。そのためには素子をできるだけ小さくして.シリコンチップの上にできるだけ多数まとめることが必要である。その密度が高いことと.成分が小さいことによって動作速度が早く効率が高くなるがそのためには光学的方法によるマスク技術よりも電子線を用いる方がよい;写図9

シソーラス用語： 集積回路 ,  電子ビーム
準シソーラス用語： トラッジスタ

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子線 ,  大きさ ,  トランジスタ