抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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三1d-2タ7へ/・1.》ンデム加速器に対する片ロインジェクタ用に設計された10μA rf負水素イオン源の細部を示し,5.5MVの初段において運転された特性を検討した,記録された最高のH-ビームは3.5 MVにおいて8.0μAであった.HCrH’ビームの生成に対する応用についてもwai=9 四 皿 ・-考察した;図8表2参8