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J-GLOBAL ID：201602013865690950 整理番号：65A0166586
1nter face-a11oy法によるエビタキンヤルヘテロ接合
Interface-alloy epitaxial heterojunctions.
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RKDIKER R H
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STOPEK S
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WARD J H R
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資料名：
Solid-State Electron (Solid-State Electronics)
Solid-State Electron について
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巻：
7
号：
8
ページ：
621-629,622(1)
発行年：
1964年
JST資料番号：
H0225A
ISSN：
0038-1101
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaAs-Ge,GaAs-GaSbの棟妃接合について.その製法.材料的性質,電気的特性,電気一光学的特性などについて述べた;写2図7表1お24
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