文献
J-GLOBAL ID：201602013948682941   整理番号：58A0061452

半導体の中の転位面

Dislocation Planes in Semiconductors.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (1件)：
MATARE H F

MATARE H F について


資料名：
不明

不明 について


巻： 4  号： 4  ページ： 121-136  発行年： 1958年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
発行国： その他 (ZZZ) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体結晶中の転位面の境界は misfit の角θで定義される,境界にできる障壁や, misfit のおよぼす電気的特性などの研究が進むにしたがって,電極接触の可能な位大きな転位を作ることができるようになった.θの比較的大きい転位面が強い光電効果と高い伝導率を示すことを実験的に示す,その部分でバンド構造や寿命の異方性を認めている,最後にこのような部分を含む電手測定装置を述べた
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(EC040206)
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
転位

転位 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM