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J-GLOBAL ID：201602013974138397   整理番号：71A0012454

半導体中のβ及びγ線誘起伝導度 CdS中性子検出器への応用

Beta-and gamma-induced conductivity in semiconductors : Application to CdS neutron detectors.

著者 (1件)： JOHNSON R T Jr
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 12  ページ： 4981-4991  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高エネルギーβ線及びγ線を照射して生ずる伝導度を用いて高抵抗N.P形半導体の移動度一寿命積(μτ)を決定する方法を開発した。定常状態励起の条件の下ではμτ積は測定した誘起伝導度と計算した電子一正孔生成速度9から決定出来る。CdS,CdSe,GaAs,ZnS単結晶について行った実験結果について述べる;写図1表6参51

シソーラス用語： ガンマ線照射 ,  中性子検出器 ,  半導体 ,  半導体検出器 ,  硫化カドミウム
準シソーラス用語： CdS ,  ぺータ線照射

タイトルに関連する用語 (6件)： γ線 ,  誘起 ,  伝導度 ,  CdS ,  中性子検出器 ,  応用