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文献
J-GLOBAL ID:201602013988797245   整理番号:58A0061151

テクネトロン:半導体装置の新発展段階 I 原理,理論,製法,現状と将来の展墓

Le tecnetron. Nouvelle etape de developpement des dis-positifs a semi-conducteurs - Principe, theorie et re-alisation du tecnetron. Etat actuel et perspectives d’avenir.
著者 (1件):
資料名:
巻:号: 94  ページ: 683-698  発行年: 1958年
JST資料番号: B0152A  CODEN: BUFCA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: フランス (FRA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体のバリヤに関する一般的解説として,テクネトロンの発明の歴史を述べた.動作原理はバリャの厚さを外部電導により変化し,その電導度を変化することを利用する.入力インピーダンスの大きいこと,500Mcまで増幅できること,大電力のものの実現の可能性などを述べた

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