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J-GLOBAL ID：201602014001345646 整理番号：58A0060986
半導体素子中の電流の立上り [寄書]
Current Build-Up in Semiconductor Devices.
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SHOCKLEY It
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GIBBONS J
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資料名：
Proc IRE (Proceedings of the IRE)
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巻：
46
号：
12
ページ：
1947-1949
発行年：
1958年
JST資料番号：
D0378A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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コレクタ接合部でのキャリアの増倍が,スイッチ過程で重要な役割をなすような装置のスイツチ作用に対して数学的基礎を与えた.少数キャリアの偏微分方程式を,スイッチ作用中少数キャリァ密度および電流が指数的に増大するという仮定の下に解き,電流増大の時定数τを表わす式を求めた.そこから高速度素子の設計には,ベースの幅を狭くすることが必要であること,しかしτは増幅度に敏感にきくことなどの結果を得た
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