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文献
J-GLOBAL ID:201602014009895645   整理番号:58A0061305

トランジスタの非直線性-P-N-P合金接合トランジスタにおけるエミッタバイアス電流の影響

Transistor Nonlinearity - Dependence on Emitter Bias Current in P-N-P Alloy Junction Transistors.
著者 (1件):
資料名:
巻: AU-6  号:ページ: 41-44  発行年: 1958年
JST資料番号: C0238A  CODEN: IRBSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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トランジスタの非線形特性を線形小信号の測定より求める方法を示した。500mW合金接合トランジスタで実験した結果では,2次・3次高調波ひずみがエミッタバイアス電流と電源抵抗の関数である。これと小信号による測定から計算した結果とを比較した

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