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J-GLOBAL ID：201602014034674939   整理番号：72A0015530

²⁷Siにおける低い励起状態の寿命

Lifetimes of lower excited states in ²⁷Si.

著者 (2件)： BINI M ,  BIZZETI P G
資料名： Nuovo Cimento A  (Nuovo Cimento. A)
巻： 6  号： 4  ページ： 543-552  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0214A  ISSN： 0369-3546  CODEN： NIFAAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イタリア (ITA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： z8Si(3He,α)27Si反応を使って,27Siのある準位の平均寿命をDopplerずれ減衰の方法で則定した。角度θ=60.においてγ線をα線と同時に測定して検出した。平均寿命に対する結果は次のとおりである。0,957,2,162,0.781および2.647MeVの準位に対してそれぞれτ。=(1.8±0.6)ps,(65竣9)fs,5psおよびく63fsであった;写図4表3参13

シソーラス用語： 励起状態
準シソーラス用語： Dopplerシフト減衰法 ,  Si²⁴-³He・α-²⁷Si反応 ,  けい素-27

タイトルに関連する用語 (2件)： 励起状態 ,  寿命