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J-GLOBAL ID：201602014052614005   整理番号：70A0230932

鋼ドーピングによるアルミニウム膜における電子移動の減少

Reduction of electromigration in aluminum films by copper doping.

著者 (3件)： AMES I ,  DHEURLE M ,  HORSTMANN R E
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 14  号： 4  ページ： 461-463  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅を添加することによって高電流下でのアルミニウム膜の寿命が増大することを見い出した。代表例を挙げれば,銅4%添加で電流密度約4×10⁶A/cm²,膜温度約175°Cにおいて寿命は70倍になった。しかし.損傷領域の出現にかんしては銅をドープしない場合と同しであった。これは両者の場合に同じ損傷過程が発生しており.銅のドーピングはその固有な性質を変えるというよりも主として損傷過程を著しく遅らせる作用をするということを暗示している。これは以前の研究から電子移動によって誘起された諸現象の結合過程が遅くなることを意味する;写図3参6

準シソーラス用語： Al膜 ,  Al膜(Cu添加/電子移動) ,  Cu添加 ,  Cu添加Al膜 ,  電子移動 ,  電子移動(Cu添加Al膜)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鋼 ,  ドーピング ,  アルミニウム膜 ,  電子移動