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J-GLOBAL ID：201602014057172639   整理番号：70A0250149

真空蒸着によるエピタクシャル インジウムひ素

Epitaxial indium arsenide by vacuum evaporation.

著者 (2件)： GODINHO N ,  BRUNNSCHWEILER A
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 1  ページ： 47-52,50(1)-50(3)  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3温度法を使用した真空蒸着により,(111),(110)および(100)半絶縁性GaAs基板結晶上にエピタクシャル・InAs膜を成長させた。膜の構造は,Laue反射法および伝導度の測定より調べた。常温においてHall移動度23,000cm²/V-secおよびキャリヤ濃度2×10¹⁵cm^-3が得られた。膜厚の移動度に対する影響を調べた結果,膜厚が数μ以下になると,移動度は急激に減少することが判明した;写図7参13

準シソーラス用語： InAs ,  lnAs ,  エピタクシャル成長 ,  エピタクシャル成長(lnAs)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空蒸着 ,  エピタクシャル ,  インジウム ,  ひ素