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J-GLOBAL ID：201602014087231966   整理番号：71A0244323

薄膜伝送路への漸減する電場結合

Evanescent field coupling into a thin-film waveguide.

著者 (1件)： MIDWINTER J E
資料名： IEEE J Quantum Electron  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 6  号： 10  ページ： 583-590  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面波のレーザ・ピームを薄膜伝送路に結合する際の高屈折率ブリズ,ムと平面の伝送路との全反射を利用した機構の理論的解析を行った。伝送路への電場の結合はプリズム中の漸減する電場を用い,結合係数の最適値は伝送路中の最大エネルギー密度の位置でプリズムを終端させる事により得られた。ガウス・ビームに対しては81%の最大エネルギー結合係数が予想されるが.他の実験結果の値に大変近いものである。結合の最適状態における振幅と位相のひずみの変化を求めた。用いた理論式は種々の入射ビームの形状に対して成立つ一般式を導入した;写図9表1参5

シソーラス用語： モード結合 ,  レーザビーム
準シソーラス用語： レーザ光 ,  レーザ光結合法 ,  光導波管 ,  光導波管(モード結合/レーザ光) ,  薄膜光伝送路 ,  薄膜光伝送路(レーザ光結合法)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  伝送路 ,  電場