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J-GLOBAL ID：201602014220248672   整理番号：70A0032380

N形InSbのミリ波光伝導度とドナー準位

著者 (3件)： YAMAMOTO J ,  YOSHINAGA H ,  FUJITA J
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 9  号： 1  ページ： 101-108  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N形InSbのZmm付近のミリ波光伝導度を測定し,キャリア濃度の低い試料では浅いドナー準位間の不純物遷移が光伝導の主な機構である事,また熱い電子の光伝導効果は小さい事を結論した。ミリ波検波器としての作動についても研究し,SN比は通常のシIlコン点接触ダイオードのそれより優れている事を結論した;写図11表2参17

シソーラス用語： ドナー準位
準シソーラス用語： InSb ,  InSb(N形) ,  N形 ,  ミリ波検波器 ,  光伝導度

タイトルに関連する用語 (4件)： InSb ,  ミリ波 ,  光伝導度 ,  ドナー準位