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J-GLOBAL ID：201602014222596376   整理番号：71A0243903

半導体デバイスにおけるドーブ領域の検知

Detection of doped regions in semiconductor devices.

著者 (2件)： HAUERWAS C E Jr ,  REUTER J L
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 12  号： 10  ページ： 1548-1549  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外エネルギーの吸収を利用して高ドープ拡散領域を検知すそ絃について述べた。赤外レーザを使っている;写図2

シソーラス用語： レーザ応用 ,  拡散 ,  赤外線 ,  半導体素子

タイトルに関連する用語 (1件)： 半導体デバイス