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J-GLOBAL ID：201602014223485705   整理番号：70A0202096

過酸化水素に基づいたクリーニング溶液のシリコン半導体技術への利用

Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in silicon semiconductor technology.

著者 (2件)： KERN W ,  PUOTINEN D A
資料名： RCA Rev (Radio Corp Am)  (RCA Review (Radio Corporation of America))
巻： 31  号： 2  ページ： 187-206  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0503A  ISSN： 0033-6831  CODEN： RCARCI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・ウエハ表面の汚染除去に対する過酸化水素溶液の有効性を調べた。シリコン表面の有機的および無機的汚染物を非常に低いレベルまで除去するための,逐次的に用いる二つのクリーニング溶液,H₂O-H₂O₂-NH₄OHおよびH₂O-H₂O₂-HClを調製した。前者は酸化によって有機汚染物を,後者は複合体の形成によって金属汚染物をそれぞれ除去するのに有効である。この溶液は過酸化水素が不足したり,ふっ化物イオン汚染物が存在したりすると,エッチング効果を生じる。この効果を比抵抗の形とドーピングの濃度の関数として測定した;写図12参35

準シソーラス用語： H₂O₂ ,  H₂O₂(シリコン表面クリーニング) ,  クリーニング溶液 ,  クリーニング溶液(シリコン表面) ,  シリコン ,  シリコン表面 ,  シリコン表面クリーニング ,  表面汚染 ,  表面汚染(シリコン/クリーニング溶液)

タイトルに関連する用語 (5件)： 過酸化水素 ,  クリーニング ,  溶液 ,  シリコン ,  半導体技術