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J-GLOBAL ID：201602014252858456 整理番号：64A0182883
単結晶シリコンカーパイドサーミスタ
Unicrystalline silicon carbide thermistor.
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著者 (2件)：
BATHA H D
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CARROLL P E
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資料名：
IEEE Trans Component Part (IRE Transactions on Component Parts)
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巻：
CP-11
号：
2
ページ：
129-134
発行年：
1964年
JST資料番号：
C0220A
CODEN：
IECPA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Carborandum土では広い温度範囲で使用できるサーミスタを研究し,シリコンカーバイドの単結晶を用いたサーミスタを開発したシリコンカーバイドが半導体であることは古くから知られて細り,高純度のものは温度係数が小さいが多量のBをドープするとサーミスタ一になる。単結晶を板状に切って,タングステン線のリードを電気溶接して作る。-100+300°Cの範囲で使用でき,1/Tと1ogRの間にほ絃完全な直線関係が成立つ。高温での特性変化は少い;写3図3参3
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