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J-GLOBAL ID：201602014282895348   整理番号：64A0180525

拡散法および合金法によるシリコンの低抵抗-高抵抗接合

Alloyed and diffused high-low junctions in silicon.
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著者 (1件)：
HADE R W

HADE R W について


資料名：
J Electron Control  (Journal of Electronics and Control)

J Electron Control について


巻： 17  号： 4  ページ： 415-423  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0287A  CODEN： JELCA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
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比較的高比抵抗のシリコンを使い拡散法および合金法によつてN十一N接合を作り,その電流一電圧特性のオーミック性について論じている。合金法で作った接合はパルク比抵抗がイントジッシツクであれば非オーミック性を示す。拡散法による接合・は案温ではオーミック性を示すが,光起電力,辰導度変調のために強い光照射の下では非,オーミック性を示す。しかし拡散法による接合は77‘Kでは高電流領域で工(XV2に従うことが観測された。これを空間電荷制限流で説明している;図5虧5
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拡散

拡散 について

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合金

合金 について

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シリコン

シリコン について

, 
低抵抗

低抵抗 について


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