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J-GLOBAL ID：201602014301977300   整理番号：72A0272134

COMPLEMENTARY MOS MEMORY

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著者 (1件)：
山崎たかし

山崎たかし について


資料名：
エレクトロニクス ダイジェスト

エレクトロニクス ダイジェスト について


号： 155  ページ： 73-77  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0038A  ISSN： 0387-0847  CODEN： ELDGA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Pチャネルのエンハンスモードを用いたPMOSと,Nチャネルのエンハンスモードを用いたNMOSとのゲート同士,ドレイン同士をそれそれ接続したものをCMOSゲートと呼ぷ。入力の2レベルに対し.2つのFETのいずれかがオフになるから電流はほとんど流れず,入力の過渡時に2値間の中央付近で流れる電流が消費電力の大部分を占めるだけだから消費電力はきわめて小さい。大体5~6nW/ゲート/サイクルというのが代表的な値で.例えばモトローラ社のMCM1405Lでは64ピットで1μwに過ぎない。主電源断の時も,電池を使って記内容を保持させることができる;写図14
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体メモリ

半導体メモリ について


準シソーラス用語：
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ランダムァクセス

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タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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MOS

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