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J-GLOBAL ID：201602014309999558   整理番号：70A0035769

Bi₁₂XO₂₀(X=Ge,Si)におけるファラデイ効果

Эффект Фарадея в германате и силикате висмута.

著者 (6件)： ПСАРЕВ Р В ,  СПНИЙ И Г ,  АБ С Э ,  КИЖАЕВ С А ,  ЧЕЙСНЕР Л Б ,  РЕЗ И С
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
巻： 12  号： 5  ページ： 1569-1571  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 20kOeまでの磁場中,77°と295。Kにおいて0.44-1,15μのスペクトル領域における磁気光学ファラデイ効果の,磁場,スペクトルおよび温度依存性と磁化率とを測定した。偏光面の回転角は磁場に比例し,Verdet定数Vは0.6328と1.15μにたいし,それぞれ0.22および0.056min/cm・Oeである。Vの温度依存性は小さい。室温におけるBiGeOの磁化率は1.8×10’6cm’3である;写図2表1参7

シソーラス用語： Faraday効果 ,  磁化率
準シソーラス用語： Bi_izBiO_zo ,  Bi_izGeO_zo

タイトルに関連する用語 (1件)： Si