抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体物質工n Sb-Ni Sb は室温において,非常に.著しい磁気抵抗効果を示す.これは,半導体物質In Sb の内部に伝導度の大きい小さなNi Sb needle が存在するためである.マイクロ波領域におけるこの物質の磁気抵抗を測定.測定装置の構造を図示.バイアスする磁場が4キロガウス以上の時,理論値と測定値のはずれは5%以下であった.磁場が小さい時はずれは著しくなったが,これは理論式がこの場合成り立たないからである.実験から,10Gcのマイクロ波周波数においても,In Sb-Ni Sbの磁気抵抗は存在し,磁気抵抗定数は直流値と同じオーダであった;図3参2
