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J-GLOBAL ID：201602014471872413   整理番号：66A0083215

真空蒸着法によるゲルマニウムおよび薄膜のひずみ感度

The strain sensitivity of Ge and CrSi thin films deposited under vacuum

著者 (2件)： BRAY A ,  PLASSA M
資料名： 不明
ページ： 155-164  発行年： 1964年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
記事区分： 原著論文  発行国： その他 (ZZZ) 

抄録/ポイント： この論文はIsti tuto Din amowe t r i c o Italiano-Torinoで最近開発した真空蒸着によって得られた薄膜の研究について発表したものである。研究の目的はフィルムの性質の研究において,ゲージファクターK-A R//R (dR/Rはフィルムの長軸にそうひずみεεによる単位当りの抵抗変化)によって定義されるひずみ感度を調べることで,この成果をグラフなどを用いて詳説。結論としてひずみ計として用いるべきフィルムに最も重要である機械的性質の安定を得るために蒸着後の熱処理および蒸着中の基礎温度の影響が大きいなどをあげている;図8表2参6

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空蒸着法 ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  ひずみ ,  感度