抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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GaAsを用いたFETを開発し,12GHz以上の最高発振周波数を得た。 このFETの設計と製造方法をのべ,チャネル中の高電界の効果がデバイスの特性に大きな影響を与えることを示した。このFETの分散パラメータを10GHzセまで測定し,2GHzでの雑音パラメータとともにのべた。 これらの特性からGaAsFETがSiバイポーラトランジスタとマイクロ波の低雑音増幅器として充分に意合できることを示し,さらにSiFETと比較すると,マスク精度や寸法がゆるくても同一の特性が実現できる長所のあることを示した;写図7参8