文献

J-GLOBAL ID：201602014499525557   整理番号：71A0048560

Si障壁層のひろがり抵抗の測定

Spreading resistance measurements on buried layers in silicon structures.

著者 (1件)： MAZUR R G
資料名： Proc Symp Silicon Device Process Gaitherburg  (Proceedings Symposium on Silicon Device Processing 700602)
ページ： 244-255  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700063  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si集積回路には障壁構造を多く使うが,これは低不純物濃度の基板とエピタキシャル層に狭まれた内部に.高不純物濃度の拡散層が埋めこまれている。この埋めこまれた拡散層の電気的特性を測定することは難しい。結晶面を3°角の斜に削り落してエピタキシャル層から基板に至る種々の深さを表面に出し.鋼針プローブでひろがり抵抗を測定した。またエピタキシャル層の上からひろがり抵抗を測定し.双方のテータを対比した;写図15参8

シソーラス用語： エピタクシー ,  拡散 ,  集積回路 ,  障壁
準シソーラス用語： シリコン ,  ひろがり抵抗

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  障壁層