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J-GLOBAL ID：201602014517121582   整理番号：72A0011344

シリコン表面障壁型検出における波高欠損

The pulse height defect in silicon surface barrier detectors.

著者 (1件)： HANSEN N J
資料名： Nucl Instrum Methods  (Nuclear Instruments & Methods)
巻： 96  号： 3  ページ： 373-381  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0208A  ISSN： 0029-554X  CODEN： NUIMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン表面障壁型検出器に認められる不感層の存在を説明する簡単な模型を考えた。粒子の通路によって電子と正孔の密度の高いプラズマが生成され,このプラズマよりキャリアーが拡散するまでは電荷捕集が開始されない。n型素材の表面に存在する薄いP型逆転層における正孔の移動度は減少しており,空乏層中の正孔よりもゆっくりと拡散する。このために表面層における電荷捕集過程の禁止が起こる。本模型より求められる実効不感層は(μ,/μ,)2z,(z,:P層の厚さ,μ,:素材中の正孔移動度,μ,=表面層における正孔の移動度)となり,最近の測定と一致した;写図11表1参16

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  けい素 ,  核分裂生成物 ,  担体 ,  表面障壁型検出器

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  障壁 ,  波高 ,  欠損