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J-GLOBAL ID:201602014546773092   整理番号:71A0036776

磁性半導体

Magnetic semiconductors.
著者 (2件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 455-476  発行年: 1970年 
JST資料番号: B0273B  ISSN: 0010-7514  CODEN: CTPHA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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現在知られている磁性半導休は3d遷移金属または4f希土類金属の酸化物かカルコゲン化物である。そのd帯は狭く特異的性質の原因となる。強磁性半導体の移動度は3d酸化物より少し大きく磁気的配例はバンド梼造や光学特性に大きな影響をもつ。Geのような広いバンドの半導体の理論は成立しない等いくつかの理論的背景を結昌構造.磁気構造エネルギーバンド構造について論じた。次に磁性半導体で小さなポーラロンが作られることなどについて論じた。量近の実験状態について簡単にふれた。Nioと他の酸化物.フニライト.ガーネット.希土類元素のカルコゲン化物,クロムスピネル等二について最近の研究と応用面について検討した;写図12表1参34
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