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J-GLOBAL ID：201602014567149119   整理番号：69A0028872

反応スパッタしたNb2O5薄膜の電圧制御負性抵抗(VCNR)(英文)

著者 (2件)： PINTO R ,  SHAHA B
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 7  号： 12  ページ： 1542-1543  発行年： 1968年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 反応スパッタ法で酸化膜の厚さが色々のNb-Nb2O5-Al構造を作り,そのI-V特性を調べた。電圧の極性や一定範囲での温度変化,酸化膜の厚さ変化によらないVCNRが出現することをみつけた。I-V曲線の谷点からの電流増加は非破壊的なだれ破壊による;写図2参7

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応スパッタ ,  薄膜 ,  電圧制御 ,  負性抵抗