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J-GLOBAL ID：201602014612020866   整理番号：70A0030195

イオン注入用のスパタリングイオン源での複合半導体の使用

The use of compound semiconductors in a sputtering ion source for ion implantation.

著者 (1件)： ALLEN R M
資料名： Nucl Instrum Methods  (Nuclear Instruments & Methods)
巻： 84  号： 2  ページ： 328-326  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0208A  ISSN： 0029-554X  CODEN： NUIMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパタリングイオン源はHi11とNelsonにより開発され,ここではこれに速さ加えたイオン源を用いて室温で半導体的な性質の物質から生成されるイオンの使用について述べ,この方法による複合半導体物質の使用が同じイオンを生成する他の物質と比較してある。この論文ではスバタリングイオン源の動作の三っのモードとそれらの利点が記してある。スバタしたGaP物質を用いて得られた200keVピーム中に存在するイオンのスペクトルが示されている;写図4表2参6

シソーラス用語： イオン源 ,  イオン注入 ,  ガリウム化合物 ,  ひ素化合物 ,  りん化合物 ,  半導体
準シソーラス用語： イオンインプランテーション ,  スパタリング

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン注入 ,  スパタリング ,  イオン源