抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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結晶性のCdSとCdTeにおける中性子照射による損傷効果を,フォトルミネッセンスの測定と伝導度の変化の測定により調べた。フォトルミネッセンスの測定から得られた,熱中性子と高速中性子によるCd欠損の比は約28であるが.I030伝導度の測定結果によればその比は40である。これらの結果について,理論的検討を行なった。CdTeは,n型とp型の二種類の結晶について調べた。熱中性子照射の前後でのCdTe結晶中のキャリアー濃度の変化の測定結果から,n型CdTeの場合,熱中性子照射により,主にCd欠損ができるが,Teの格子欠陥は観測されないという結論を得た。p型CdTeの測定では,熱中性子照射によりホール濃度が減少することが示されているが,ホール濃度の測定値は,予測された値に比し大きい(著老)