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J-GLOBAL ID：201602014807506267   整理番号：63A0132887

汚損絶縁物上の放電の進展

Growth of discharges on polluted insulation.

著者 (2件)： ALSTON L L ,  ZOLRIDZIORSKI S
資料名： Proc Inst Electr Eng  (Proceedings of the Institution of Electrical Engineers)
巻： 110  号： 7  ページ： 1260-1266  発行年： 1963年 
JST資料番号： D0380C  ISSN： 0020-3270  CODEN： PIEEAH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 汚損絶縁物上の局部アークの保持に必要な電圧は,アーク長か押びる程大になる。そしてこの電圧が給与電圧を越えるとせん絡せずに放電は立消えとなる。この機構を基にして簡単な場合(表面抵抗一称)に対する解析を行なった。その結果せん絡電界強度Ec(V/cm)はρ0.43に比例し(ρ:汚損比抵抗未米せん絡の最大漏れ電流は233Ec-1.31(A)となることか分った。これは注水せん絡試験時のブッシング,自然汚損がいしに適用できる。さらに表面を一様に人工汚損した場合の他の研究者の実験結果とも合致し,かような点から逆に,多くの場合せん絡を左右するのは上記の機構であるといえる;図6参11

タイトルに関連する用語 (4件)： 汚損 ,  絶縁物 ,  放電 ,  進展