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J-GLOBAL ID：201602014849571956   整理番号：71A0031377

低温におけるN形InSbの熱起電力

Териоадс n-IпSb при низких температурах.

著者 (2件)： ТАМАРИН П В ,  ШАЛЫТ С С
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
巻： 13  号： 5  ページ： 1420-1425  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 7×10¹³-4×10¹⁸cm^-3の電子濃度のN形lnSb単結晶の熱起電力を2°-300°Kで測定した。低温ではフォノンによる電子ドラッグの効果が現れる。3°-5°Kでは前に研究されたのとは少し違う特性が生ずる。この特性は低温の然起電力の拡散およびフォノン成分のふるまいと関係している;写図7参6

シソーラス用語： 熱起電力
準シソーラス用語： InSb

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温 ,  InSb ,  熱起電力