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J-GLOBAL ID：201602014860486375   整理番号：71A0242245

SiONを用いたMIS構造の初期電荷分布と照射誘起電荷分布

Initial and radiation-induced charge distribution in silicon oxynitride MIS structures.

著者 (1件)： ASHNER J D
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 18  号： 6  ページ： 384-386  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si俵面にSiON膜を形成すると,誘電体中に2-3×10^-2cm^-2の大きな固定電荷が生ずる。照射中に2.8×10⁵V/cm以上の負バイアスを印加すると,負電荷がSiON膜中に注入され,注入電荷はSiON中にある元の正電荷よりも大きくなる。注入された負電荷はSiとSiONの界面にあり,イオン性の機構によるものではなく.電子的な現象であると考えられる;写図1表2参21

シソーラス用語： MIS構造 ,  電荷分布
準シソーラス用語： シリコン

タイトルに関連する用語 (5件)： SiON ,  MIS構造 ,  初期 ,  電荷分布 ,  誘起